凈化工程的溫度和濕度主要根據(jù)工藝要求確定，但在滿足工藝要求的情況下，應(yīng)考慮人的舒適度。隨著空氣潔凈度要求的升高，工藝對(duì)溫度和濕度的要求越來(lái)越嚴(yán)格。具體工藝對(duì)溫度的要求以后會(huì)列出，但作為一般原則，由于加工精度越來(lái)越精細(xì)，對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求也越來(lái)越小。例如，在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光過(guò)程中，玻璃和硅片作為掩膜板材料的熱膨脹系數(shù)差異越來(lái)越小。

硅片直徑為100um，溫度上升1度，造成0.24um線性膨脹，因此要有±0.1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊购?，?huì)對(duì)產(chǎn)品造成污染，尤其是怕鈉的半導(dǎo)凈化工程，這種車間溫度不能超過(guò)25度，濕度過(guò)高造成的問(wèn)題更多。當(dāng)相對(duì)濕度高于55%時(shí)，冷卻水管壁會(huì)結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，會(huì)造成各種事故。當(dāng)相對(duì)濕度為50%時(shí)，容易生銹。另外，當(dāng)濕度過(guò)高時(shí)，硅片表面粘附的灰塵會(huì)被空氣中的水分子化學(xué)吸附，難以去除。相對(duì)濕度越高，粘附越難去除，但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，由于靜電的作用，顆粒容易吸附在表面，大量半導(dǎo)體器件容易擊穿。硅片生產(chǎn)的佳濕度范圍為35-45%。

在凈化工程的基礎(chǔ)建設(shè)中，要利用好以上方法，從設(shè)計(jì)到施工，注重效率和產(chǎn)品質(zhì)量，在高效的前提下進(jìn)行優(yōu)質(zhì)的工程建設(shè)。